金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“一种填充沟槽的方法及半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN120341169A，申请日期为2025年03月。

　　专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种填充沟槽的方法及半导体结构的制备方法，旨在解决现有技术在材质较为疏松的基底上淀积成膜时、特别是填充深宽比沟槽时难以同时避免损伤和填充孔洞的问题。其中填充沟槽的方法包括：在HDPCVD设备的腔室内形成等离子体环境；在半导体基底的沟槽内壁形成保护层；继续向沟槽内填充介质层，包括依序进行的第一反应阶段和第二反应阶段，其中在第一阶段，控制淀积刻蚀速率比大于1，沟槽底壁与侧壁的淀积速度比大于2；并且在第一阶段进行过程中，至少部分保护层得以保留；第二阶段的淀积刻蚀速率比大于第一阶段的淀积刻蚀速率比。能够高质量填充沟槽形成氧化硅薄膜，避免对基底造成损伤，同时避免在沟槽内形成孔洞。

　　天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1200000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1029次，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可113个。

　　特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。

　　2005年古月离奇倒在桑拿房，李讷曾抱着他痛哭喊爸，叶帅那个红圈，竟画出了他27年“借来的人生”

　　中方发声强烈谴责瓜达尔港袭击事件：对遇难者表示深切哀悼，中方将一如既往坚定支持巴方打击

　　有人问及如何评价周总理，黄永胜回忆：外交上是一把好手，搞内政堪称八级泥瓦

　　三星Galaxy S26系列手机首批产能曝光：Ultra占比约73.5%

　　三星在韩国为Galaxy Z Fold/Flip折叠手机推广“组件级”维修